Новости микроэлектроники

[XUC]

Micron запустила массовое производство DDR5 по самому передовому техпроцессу 1β — скорость до 7200 МТ/с

Компания Micron Technology сообщила о начале массового производства и поставок 16-гигабитных чипов памяти DDR5, выполненных по самому передовому технологическому процессу производителя — 1β (1-beta). На основе этой памяти могут создаваться модули ОЗУ для серверов и персональных компьютеров со скоростью до 7200 МТ/с.

Источник изображений: Micron

Компания заявляет, что переход на техпроцесс 1β с передовой технологией High-K CMOS, четырёхфазной регулировкой тактовой частоты и синхронизацией тактов позволил увеличить производительность на 50 %, а энергоэффективность на ватт увеличена на 33 % по сравнению с прошлым поколением памяти.

С ростом количества ядер CPU для удовлетворения растущих потребностей рабочих нагрузок центров обработки данных значительно возрастает и потребность в более ёмкой памяти с высокой пропускной способностью. Память DRAM DDR5 со скоростью передачи данных до 7200 МТ/с на основе техпроцесса 1β от Micron позволяет масштабировать вычислительные возможности с более высокой производительностью для таких сфер, как обучение и интеграция искусственного интеллекта (ИИ), генеративного ИИ, анализ данных и базы данных в памяти (IMDB) в центрах обработки данных и на клиентских платформах.

Новые микросхемы памяти Micron получили объём 16, 24 и 32 Гбит (2, 3 и 4 Гбайт) и предлагают скорость работы от 4800 до 7200 MT/с. Новая память будет доступна как в серверном, так и в потребительском сегменте. Micron планирует распространить использование передового техпроцесса 1β на производство кристаллов памяти LPDDR5x, GDDR7 и даже HBM3e, отмечает производитель.

Источник: Для просмотра ссылки Войди или Зарегистрируйся

 

[XUC]

Samsung намерена выпустить память HBM4 в 2025 году

В 2016 году корейская компания Samsung Electronics первой в отрасли выпустила на рынок микросхемы памяти HBM первого поколения для применения в сегменте высокопроизводительных вычислений. Через год появилась 8-слойная память типа HBM2, позже вышли микросхемы HBM2E и HBM3, а память типа HBM4 компания рассчитывает представить в 2025 году.

Источник изображения: Samsung Electronics

Как сообщается в корпоративном блоге компании, при выпуске микросхем типа HBM4 будут применяться инновации, направленные на улучшение термодинамических свойств этого вида продукции — проще говоря, будут применены решения для лучшего отвода тепла. При сборке стеков памяти будет применяться непроводящая полимерная плёнка, дополнительно механически защищающая монтируемые друг на друга чипы. Метод гибридного медного соединения будет сочетать медные проводники с плёночным оксидным изолятором вместо традиционного припоя.

Кроме того, как признаются представители Samsung Electronics, в начале 2023 года компания создала подразделение, курирующее передовые методы упаковки чипов. Своим клиентам южнокорейский гигант будет готов предложить услуги по тестированию и упаковке чипов с использованием методов 2.5D и 3D, которые могут быть востребованы разработчиками компонентов для высокопроизводительных вычислений и систем искусственного интеллекта.

К числу своих технологических достижений Samsung также относит выпуск микросхем оперативной памяти типа DDR5, позволяющих создавать модули памяти объёмом 128 Гбайт, а также освоение 12-нм техпроцесса в данной сфере. В дальнейшем компания рассчитывает использовать для выпуска микросхем памяти литографические нормы тоньше 10 нм.

В сфере высокопроизводительных вычислений может найти достойное применение и технология HBM-PIM, предусматривающая выполнение определённой части вычислений непосредственно силами самой микросхемы памяти. Быстродействие при этом удаётся повысить до 12 раз по сравнению с традиционной архитектурой микросхем памяти. Помимо HBM, такая архитектура будет внедряться и на микросхемах памяти, работающих с протоколом CXL.

Представленные недавно модули оперативной памяти LPCAMM, по словам представителей Samsung, можно будет применять не только в ноутбуках, но и в серверных системах, где их высокая плотность позволит увеличить объём используемой оперативной памяти без дополнительной потребности в занимаемых площадях. Такие модули памяти будет занимать на 60 % меньше места по сравнению с SO-DIMM, а производительность при этом вырастает на величину до 50 %. Энергетическая эффективность таких модулей памяти выше на 70 %.

Источник: Для просмотра ссылки Войди или Зарегистрируйся

 

[XUC]

Tokyo Electron разработала оборудование для выпуска 400-слойной флеш-памяти 3D NAND

Для производства памяти типа 3D NAND, подразумевающей использование пространственной компоновки с вертикальными соединениями между слоями в чипах, требуется специальное оборудование, и до сих пор рынок полностью контролировала американская компания Lam Research. Японской Tokyo Electron удалось разработать более производительный метод выпуска таких микросхем, который позволит увеличить количество слоёв памяти до 400 штук.

Источник изображения: Tokyo Electron

Как поясняет Nikkei Asian Review, в июне этого года компания Tokyo Electron представила свой метод травления отверстий для формирования вертикальных межсоединений в чипах памяти 3D NAND. Выпуск специализированного оборудования позволит Tokyo Electron бросить вызов американской Lam Research, а её клиентам предоставит возможность повысить производительность линий по выпуску памяти данного типа. По крайней мере, новый подход к травлению отверстий позволяет повысить производительность в два с половиной раза по сравнению с существующим.

Более того, разработанная японской компанией технология оказывает меньше пагубного воздействия на окружающую среду. По прогнозам Tokyo Electron, через два или три года клиенты компании смогут начать выпуск памяти типа 3D NAND с 400 слоями. Сегмент оборудования для травления отверстий в слоях микросхем 3D NAND сейчас является крупнейшим на рынке оборудования для травления кремниевых пластин. По прогнозам японского поставщика, ёмкость этого сегмента к 2027 году увеличится в четыре раза до $2 млрд по сравнению с текущим годом.

В прошлом фискальном году Tokyo Electron продала оборудования для травления на сумму не более $3,9 млрд, что соответствует примерно четверти её совокупной выручки. С помощью новой технологии компания рассчитывает как минимум удвоить профильную выручку. На рынке систем травления в полупроводниковой отрасли, чьи обороты в прошлом году достигли $20 млрд, компания Tokyo Electron довольствовалась вторым местом и долей в 25 %, тогда как лидером оставалась американская Lam Research, контролирующая половину сегмента. За последние пять лет Tokyo Electron на 77 % увеличила расходы на исследования и разработки, поэтому создание новой технологии травления отверстий в чипах 3D NAND стало закономерным итогом такой инвестиционной политики. В этом году компания рассчитывает потратить на исследования и разработки рекордные $1,34 млрд, даже несмотря на ожидаемое снижение прибыли. Компания уже использует искусственный интеллект для разработки новых материалов, применяемых в производстве. К 2025 году производители памяти начнут активно вкладываться в модернизацию своих предприятий, и Tokyo Electron на этом этапе получить возможность укрепить свои рыночные позиции.

Источник: Для просмотра ссылки Войди или Зарегистрируйся

 

[XUC]

Создан гибридный транзистор на основе шёлка — перспективное сочетание кремния и биотеха

Учёные из Университета Тафтса (США) представили прототип гибридного транзистора на основе шёлка. Биологический материал включили в стандартный техпроцесс производства чипов, что обещает сделать его использование массовым. Сочетание кремния и биотехнологий позволяет гибридным электронным цепям реагировать одновременно на электрические и биологические сигналы, открывая путь к датчикам здоровья и нейропроцессорам.

Источник изображения: Tufts University / Silklab

Исследователи давно ищут мостик между живым и неживым, который позволит создавать нейроинтерфейсы между электронными устройствами и живыми организмами. Перспективы подобных решений невозможно переоценить. Нейросети, подобные мозгу процессоры, датчики биологических процессов в организме людей — это многое изменит в жизни людей. Произойдёт это не завтра и не послезавтра, но рано или поздно мир станет совершенно иным.

Подтолкнут ли к этим изменениям только что представленные гибридные транзисторы, или они канут в небытие, мы пока не знаем. Но на данном этапе разработка демонстрирует ряд интересных свойств, например, способность вписаться в современные техпроцессы выпуска микросхем.

Предложенный учёными гибридный процессор в качестве изолятора (очевидно, затвора) использует материал на основе белка фиброина, входящего в состав шёлковых нитей и, например, паутины. Этот белок показал хорошую восприимчивость в процессе регулировки его ионной проводимости электронными импульсами и биомаркерами.

По сути, мы имеем дело с чем-то сильно напоминающим, как работает ячейка памяти ReRAM: насыщение ионами рабочего слоя меняет там сопротивление. Тем самым гибридный транзистор на основе шёлка вполне перекрывает область применения резистивной памяти или мемристора, как назвала его компания HP, и даже выходит за его пределы, поскольку заходит в сферу биологии.

На основе предложенного решения исследователи создали датчик дыхания, чутко реагирующий на влажность. Здоровье человека — это та сфера, которая может стать благодатной почвой для множества перспективных начинаний, и «транзистор из шёлка» вполне может стать одним из них.

Источник: Для просмотра ссылки Войди или Зарегистрируйся

 

[XUC]

Samsung начала поставки образцов 24-Гбит чипов HBM3E с пропускной способностью 1,228 Тбайт/с

Компания Samsung приступила к поставкам опытных образцов микросхем высокопроизводительной памяти HBM3E пятого поколения с кодовым названием Shinebolt, сообщает южнокорейское издание Business Korea. На фоне продолжающегося роста спроса на высокопроизводительное аппаратное обеспечение для задач, связанных с искусственным интеллектом, данный вид памяти становится более актуальным по сравнению с обычной DRAM.

Источник изображения: Wccftech

По словам производителя, новые чипы памяти HBM3E предлагают возросшую примерно на 50 % пропускную способность по сравнению с решениями Samsung предыдущего поколения. Опытные образцы Samsung обладают восьмиярусной компоновкой из 24-гигабитных микросхем. Сообщается, что производитель также завершает разработку 12-ярусных чипов памяти HBM3E ёмкостью 36 Гбайт.

Первые тесты показывают, что память Samsung HBM3E с кодовым именем Shinebolt обеспечивает пропускную способность на уровне 1,228 Тбайт/с, что выше показателя тех же чипов HBM3E от компании SK hynix, являющейся лидером в данной области.

Для производства памяти HBM компания Samsung последовательно применяет метод с использованием термокомпрессионной непроводящей пленки (TC-NCF). В свою очередь SK hynix для производства своих микросхем памяти HBM использует более передовой подход Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF), представляющий собой метод объединения нескольких чипов памяти на одной подложке посредством спайки.

По данным Business Korea, Samsung также продолжает исследовать более передовые процессы сборки стеков памяти HBM с использованием гибридной спайки.

Источник: Для просмотра ссылки Войди или Зарегистрируйся

 

[XUC]

Qualcomm представила Snapdragon Seamless — средство для сопряжения разнородных устройств

На мероприятии Snapdragon Summit компания Qualcomm представила не только флагманский мобильный процессор, но и технологию Snapdragon Seamless, предназначенную для создания единой экосистемы устройств разного типа.

Источник изображения: Qualcomm

Snapdragon Seamless позволяет устройствам под управлением разных ОС обнаруживать друг друга, подключаться и осуществлять беспрепятственное взаимодействие. Это могут быть смартфоны под Android, ПК под Windows, а также различные гаджеты с чипами семейства Snapdragon, в том числе наушники, умные часы и очки. Клавиатуры смогут свободно работать с устройствами различных типов, а беспроводные наушники — переключаться между источниками звука, предусмотрена и возможность упрощённого обмена файлами между смартфонами и ПК.

Производитель привёл и другой пример. При занятиях спортом смартфон производит запись упражнений на тренировке, умные часы считывают основные показатели вроде частоты сердечных сокращений или числа сделанных шагов — и вся эта информация транслируется на умные очки, позволяя пользователям отслеживать данные тренировок в реальном времени без нужды отвлекаться на телефон или часы.

Взаимодействие устройств обычно легко реализуется в рамках одной экосистемы, например, Samsung Galaxy или Apple, но в случае с устройствами разных производителей задача оказывается непростой, даже если все они работают под Android. Идея Snapdragon Seamless состоит в том, чтобы устранить эту привязку к бренду и ОС. Qualcomm планирует реализовать поддержку решения на чипах Snapdragon для телефонов, носимых устройств, ПК, автомобилей и других систем. В компании ожидают, что внедрение Snapdragon Seamless партнёрами начнётся уже в этом году.

Источник: Для просмотра ссылки Войди или Зарегистрируйся

 

[XUC]

Wacom представила компактные графические планшеты Cintiq Pro 17 и Cintiq Pro 22​

Wacom представила графические планшеты Cintiq Pro 17 и Cintiq Pro 22 с 17- и 22-дюймовыми дисплеями, адресованные творческим профессионалам, предпочитающим компактный формфактор. Обе модели оснащены сенсорными экранами с разрешением 3840 × 2160 и частотой 120 Гц, отображающими 1,07 миллиарда цветов. Они обеспечивают 99-% охват DCI-P3 и 95-% охват Adobe RGB, и гарантируют соответствие цветовым палитрам Pantone и Pantone SkinTone. Заявлена поддержка HDR и время отклика 12 мс для перьевого ввода.

Источник изображений: Wacom​

На корпусе Cintiq Pro 17 и Cintiq Pro 22 сзади расположены восемь программируемых кнопок, которые можно использовать для назначения макросов или ярлыков в творческих приложениях, таких как Adobe Photoshop. Одним из заметных различий между двумя моделями является расположение портов: на более крупном Cintiq Pro 22 порты HDMI, mini-DP, USB Type-A и два USB Type-C могут быть скрыты за съёмными крышками на задней панели.

Меньший Cintiq Pro 17 не получил порта USB Type-A, а остальные его разъёмы расположены открыто.

Как и более крупный Для просмотра ссылки Войди или Зарегистрируйся, новые планшеты не располагают какими-либо креплениями или подставками для изменения угла наклона во время использования. Оба устройства поддерживают крепления VESA (VESA 75 для Cintiq Pro 17, VESA 100 для Cintiq Pro 22), которые приобретаются отдельно. В качестве альтернативы Wacom предлагает официальную подставку для Cintiq Pro 22 за $499,95 и подставку для Cintiq Pro 17 за $449,95, которые были «разработаны с учётом эстетики» семейства продуктов Cintiq.

Для просмотра ссылки Войди или Зарегистрируйся​

Оба планшета поставляются с полностью настраиваемым стилусом Pro Pen 3 от Wacom. Пользователи могут изменить форму силиконовой ручки пера, чтобы повысить комфорт и вес, и даже заменить физические кнопки на приподнятые или более плоские варианты, чтобы улучшить тактильность или уменьшить вероятность случайного нажатия. Pro Pen 3 поддерживает 8192 уровня чувствительности к давлению и его можно приобрести отдельно за $129,95.

Wacom Cintiq Pro 17 можно приобрести уже сейчас за $2499,95, а Wacom Cintiq Pro 22 будет доступен в декабре этого года по цене $2999,95. Для сравнения, более крупный Для просмотра ссылки Войди или Зарегистрируйся оценивается в $3499,95. Большинство творческих профессионалов, работающих в таких отраслях, как анимация и редактирование видео, обычно предпочитают планшеты с дисплеем большего размера, поэтому рынок этих компактных новинок кажется довольно нишевым, а перспективы их продаж —туманными.
Это также огромный скачок в цене по сравнению с недавно обновлённой бюджетной линейкой Для просмотра ссылки Войди или Зарегистрируйся. Конкурирующие предложения от таких компаний, как Xencelabs и Huion, улучшаются по качеству с каждым годом и предлагаются намного дешевле аналогичных продуктов Wacom. Учитывая, что новые Cintiq Pro даже не комплектуются подставками, у самых преданных поклонников Wacom может возникнуть соблазн попробовать другие, более доступные альтернативы.

Источник: Для просмотра ссылки Войди или Зарегистрируйся

 

[XUC]

Sharp достигла рекордного КПД для кремниевых тандемных солнечных панелей — 33,66 %

Компания Sharp поделилась новостью о создании тандемного солнечного элемента из полупроводниковых материалов, КПД которого достигло мирового рекорда — 33,66 %. Что важно, этот показатель установлен для солнечной панели практической ценности площадью 775 см2. В планах Sharp устанавливать такие панели на электромобили и другие мобильные платформы, чтобы солнечный свет увеличивал пробег.

Источник изображений: Sharp

Чтобы солнечная ячейка работала эффективнее, её создают многослойной, чтобы каждый слой поглощал свет в своём диапазоне. Такие ячейки называют тандемными, и в них обычно кремний чередуется с перовскитами или с полупроводниками из III или V групп таблицы Менделеева. Копания Sharp не использует перовскиты, хотя они показали себя предельно перспективными для солнечных элементов. Исследователи Sharp занимаются полупроводниками и добились в этом впечатляющих успехов.

В прошлом году трёхпереходный тандемный элемент Sharp, по свидетельству AIST (Национального института передовой промышленной науки и технологии Японии), установил мировой рекорд эффективности, показав КПД на уровне 32,65 %. Новый элемент лишился одного перехода и стал формально двухпереходным, что увеличило приток света к нижележащему кремниевому слою и позволило увеличить КПД до нового рекордного значения в 33,66 %.

Хитрость заключается в том, что верхний слой представлен составным и фактически двухпереходным элементом из индия/галлия/фосфора и арсенида галлия. Проще говоря, Sharp заменила два перехода из полупроводников одним составным. За счёт этого ячейки стали на треть тоньше, что тоже важно для массового производства — они будут определённо дешевле ячеек, содержащих стек из трёх переходов.

Источник: Для просмотра ссылки Войди или Зарегистрируйся

 

[BlackNeo]

Импортозамещённый монитор с бесполезным чипом за 50 тысяч рублей​

Замена российской микросхемы на проволоку никак не влияет на работоспособность.

На днях всплыла интересная история. Блогер Максим Горшенин (бывший менеджер АО МЦСТ) обнаружил, что в мониторах некой конторы под названием ООО "ЛайтКом" из Зеленограда присутствует отечественный чип Для просмотра ссылки Войди или Зарегистрируйся, созданный некой "ПКК Миландр". И он не особо задействуется в работе данного монитора.

Так в чем проблема? Ну какое-то очередное устройство от нонеймов, казалось бы. Только вот он набрал максимальный балл по шкале импортозамещения от Минпромторга (140 ед.). Соответствующие критериям продукты попадают в реестр отечественной продукции и имеют приоритет при госзакупках.

Горшенин выяснил, что при замыкании цепи перемычкой, это никак не повлияло на работу устройства. На самом деле, роль в выводе изображения выполняет RTD2525AR от известной Realtek, родом из Тайваня. Скрывался он за радиатором, наклеенным сверху. А отечественная разработка стоит в качестве бутафории, роль которой аналогична кусочку проволоки. Разница в стоимости чипов, кстати, почти 50% в пользу зеленоградской разработки.

С другой стороны, формально ЛайтКом не нарушил условия при получении баллов в рейтинге Минпромторга.

В законе сказано, что баллы присуждаются за использование российского чипа. И он используется. Обязательно ли применение чипа в схемотехнике? Нет. Можно ли припаять бракованный чип, а его функции будет выполнять проволочка? Можно, и на работу это никак не повлияет. Зато ты набрал баллы и избавился от бракованных чипов.
Максим Горшенин

Представители от производителя мониоров и разработчика чипов не прокомментировали ситуацию: ЛайтКом предложил "изучить информацию на сайте", а Миландр ссылается на NDA c Лайткомом. Кстати, интересный факт - офисы Лайткома и Миладра располагаются в 10 минутах друг до друга, но прямой связи между данными организациями найти не удалось.

Хотя на плате все-таки существует приписка на русском "Модуль видеоконтроллера" и "Видеоконтроллер", это видно на скриншоте с Хабра и в видео Максима. Вполне возможно, что ее презентовали именно так. И никто не вдавался в детали, что "сердцем" является тайваньский чип, прикрытый радиатором на клей (что только ухудшает теплоотвод и косвенно подтверждает версию, что его так прятали).

Русский мужик он смекалист. Голь на выдумки хитра.
Взяли, прикрутили ненужную микросхему российскую, - хоп, это уже не китайский а российский монитор
Импортозамещение идет полным ходом

 

[XUC]

Очередь за памятью HBM3 и HBM3E производства SK Hynix выстроилась более чем на год
Компания укрепляет позиции на рынке ИИ-систем
SK Hynix недавно заявила, что все ее мощности по производству памяти HBM3 и HBM3E в 2024 году забронированы клиентами.

По оценкам SK Hynix, в 2023 году доля серверов, оснащаемых ускорителями с памятью типа HBM и используемыми для работы с искусственным интеллектом, составит около 10% от общего числа серверов, а будущий рынок ИИ-серверов будет расти более чем на 40% ежегодно. Ожидается, что рынок памяти HBM, на котором SK Hynix занимает доминирующее положение, будет расти на 60–80% ежегодно в течение следующих 5 лет.

Однако SK Hynix сохранит консервативную стратегию производства продуктов NAND с высоким уровнем запасов. SK Hynix будет работать над повышением прибыльности бизнеса NAND и ожидает квартального сокращения поставок NAND примерно на 10% в четвертом квартале 2023 года (включая ее дочернюю компанию Solidigm).

Если взять в качестве примера DRAM, то во второй половине 2023 года SK Hynix будет агрессивно сокращать долю производства DDR4. К 2024 году SK Hynix расширит производство продуктов с высокой добавленной стоимостью, таких как DDR5 и HBM3, а также постарается улучшить передовой производственный процесс и увеличить инвестиции в технологию HBM TSV.

В третьем квартале 2023 года поставки DRAM и средняя цена реализации продуктов SK Hynix выросли на 20% и 10% по сравнению с предыдущим кварталом соответственно, а бизнес DRAM за два квартала перестал быть убыточным.

Источник Для просмотра ссылки Войди или Зарегистрируйся